Proizvođač Broj proizvoda:
TSM1NB60CW RPG
Product Overview
Proizvođač:
Taiwan Semiconductor Corporation
Broj dela:
TSM1NB60CW RPG-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
9590 kom. Nova originalna na skladištu
12894919
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TSM1NB60CW RPG Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Taiwan Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
138 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
39W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-223
Paket / slučaj
TO-261-4, TO-261AA
Osnovni broj proizvoda
TSM1NB60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
TSM1NB60CWRPGDKR
TSM1NB60CWRPGCT
TSM1NB60CWRPGTR
TSM1NB60CW RPGDKR-DG
TSM1NB60CW RPGTR-DG
TSM1NB60CW RPGCT-DG
TSM1NB60CW RPGTR
TSM1NB60CW RPGCT
TSM1NB60CW RPGDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMT6005LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
DMP2088LCP3-7
MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
DMTH6004SPS-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
